Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

July 13, 2011, Phoenix--RoseStreet Labs(RSL)は、ローコストシリコン基板を利用した世界初の長波長LEDデバイスを実証した。
グリーンLEDやそれよりも長い波長のLEDが以前から、研究分野からも産業分野からも求められている。長波長LEDが、エネルギー効率、ローコスト、小型化が重視される照明用途LED成長市場の要求に応えられると見られているからだ。
RSLのブレイクスルーデバイスは、高効率PVアプリケーションやパワーデバイス用の独自の薄膜InGaN on Siを利用したものだ。RSLの長波長デバイスは、アリゾナ州フェニックスの同社ナイトライド研究センタにある、商用規模の蒸着装置を用いて作製される。シリコン基板は、LED製造で一般に用いられている従来のサファイアやシリコンカーバイド基板と比べてコスト的な優位性は大きい。
効率のよい長波長LEDは固体照明(SSL)、LEDバックライト、次世代ディスプレイ技術にとって重要な節目となる。緑もしくはそれより長い波長の窒化LEDは、UVや青色LEDと比べると、量子効率が悪くなるため、製造上のハードルは極めて高く、LED業界にとって達成困難な目標だった。
RSLは、最終的にはグリーンおよび長波長のLEDのパッケージングを同社の姉妹会社、FlipChip International(FCI)に任せる、としている。FCIは半導体パワーデバイスのパッケージングで豊富な経験を持っており、これらLEDデバイスに独自のパッケージングソリューションを提供できる。
RSLの研究者は、この技術をマルチカラーおよび白色スペクトラムに可変できることも初めて実証した。このRSLデバイスは、高輝度、低エネルギー消費、低い市販コストの見込みがあるため、市場性は大いに期待できる。RSLは、200mmシリコン基板を利用して、2～3年で商用化する、としている。
RSLのCTO、Wladek Walukiewicz氏は、「グリーンLEDは、グリーン領域およびそれより長い波長帯で高いデバイス効率を出すことが材料的に難しかったため、なかなか実現しなかった」とコメントしている。