Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

May 31, 2011, Raleigh--Kyma Technologiesは、同社製品ポートフォリオへのAlGaNテンプレート追加を発表した。
同社は、現在進行中のミッドUV LED技術研究プロジェクトの一環としてこの製品をパートナーと共同開発した。AlGaNテンプレートは、ハイパワーRF通信やハイパワースイッチングエレクトロニクスを含め、他のアプリケーションにも大きな影響を与える可能性がある。
Kymaの最初のAlGaNテンプレート製品提供は、2インチ径サファイア基板上に成長した5µm厚エピレディAl9Ga1Nバッファ層。組成や厚さが異なるものは今後のリリースが予定されている。
「AlN/AlGaNヘテロ構造をベースにしたトランジスタは、非冷却自動車アプリケーションで必要とされている高温動作で、競合技術GaNのパフォーマンスを凌駕することがすでに実証されている。当社のAlGaNテンプレートは、SiCもしくはサファイア基板上にMOCVDまたはMBEで成長したバッファ層と比べると活性層域の欠陥が少ないのでトランジスタのパフォーマンスは一段と向上している」(Kyma CTO、Ed Preble氏)。
Kymaの社長/CEO、Keith Evans氏によると、同社のエンジニアはすでに厚さ10µm超のAl高含量、クラックフリーAlGaN層を実証している。同社の目標は、「今後6ヶ月以内で100µm厚とし、フリースタンディングAlGaNを2012年に実現することである」とEvans氏は語っている。
今後の同社の計画では、AlGaNテンプレート製品提供を他の組み合わせ、Al含量、AlGaN厚、基板径、基板組成に拡大していく。