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ODIS社、出力1.7mW 980nm VCSELを実証
April 25, 2011, Shelton--オペル・ソーラ(OPEL Solar International Inc)は、同社の米国子会社ODIS(OPEL Defense Integrated Systems)が、平面オプトエレクトロニクス技術(POET)プロセスの一環として新しい集積デバイスで初めてレーザ動作を実証したと発表した。
POETは、単一チップ上で光と電気を融合することでハイパフォーマンスデバイスを実現する。POETは、電気と光の両方の要素を含むICチップのモノリシック製造を可能にする半導体製造技術。飛躍的にローコスト化、高速化され、密度も信頼性も高めたコンポーネントを提供することでPOETは、タブレットPCやスマートフォンなどの幅広いアプリケーションの様相を根本的に変える、とOPELは主張している。
独自のIII-V材料構造をベースにした、パルスVCSELは980nmで動作する。垂直キャビティ径12µm、出力1.7mW。ODISが以前に発表した集積ディテクタ、HFETデバイスといっしょに使うことで、このレーザでは電子デバイス間の回路内光接続が可能になる。
「光回路のオンチップ集積に向けたエンド・ツー・エンド技術が光信号を、電気信号と同じ半導体フレームワーク上で扱えることが初めて実証された」とOPELのCEO、Leon M. Pierhal氏は話している。「この技術はシリコンベースのチップの銅線インタコネクトの制限を克服できるものであり、ODISへの長年の投資の正当性を示すものだ。」
ODIS社は、この他にも様々オプトエレクトロニックデバイスを実証している。HFET、光サイリスタ、オシレータ他。これらはいずれもPOETプロセスでモノリシック製造できる。これらのデバイスはサードパーティ製造工場で評価中。
POETは、単一チップ上で光と電気を融合することでハイパフォーマンスデバイスを実現する。POETは、電気と光の両方の要素を含むICチップのモノリシック製造を可能にする半導体製造技術。飛躍的にローコスト化、高速化され、密度も信頼性も高めたコンポーネントを提供することでPOETは、タブレットPCやスマートフォンなどの幅広いアプリケーションの様相を根本的に変える、とOPELは主張している。
独自のIII-V材料構造をベースにした、パルスVCSELは980nmで動作する。垂直キャビティ径12µm、出力1.7mW。ODISが以前に発表した集積ディテクタ、HFETデバイスといっしょに使うことで、このレーザでは電子デバイス間の回路内光接続が可能になる。
「光回路のオンチップ集積に向けたエンド・ツー・エンド技術が光信号を、電気信号と同じ半導体フレームワーク上で扱えることが初めて実証された」とOPELのCEO、Leon M. Pierhal氏は話している。「この技術はシリコンベースのチップの銅線インタコネクトの制限を克服できるものであり、ODISへの長年の投資の正当性を示すものだ。」
ODIS社は、この他にも様々オプトエレクトロニックデバイスを実証している。HFET、光サイリスタ、オシレータ他。これらはいずれもPOETプロセスでモノリシック製造できる。これらのデバイスはサードパーティ製造工場で評価中。