Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

December 20, 2010, Carlsbad--オステンド・テクノロジーズ(Ostendo Technologies, Inc)とテクノロジーズ・アンド・デバイセズインタナショナル(Technologiesand Devices International, Inc)は、セミポーラ(11-22)GaNウエハ上に成長したLED構造が、CプレーンベースのLED構造の出力強度の2.5倍以上の出力を実現したと発表した。TDIはオクスフォード・インスツルメンツグループの一企業。
　オステンドとTDIは、2008年、パロアルト・リサーチセンタ(PARC)と情報交換契約を結んだ。それにしたがってセミポーラGaNウエハを提供し、PARCがその上にLEDやLD構造を成長し、独自に評価してその結果を報告する。その評価作業の一環としてPARCは、セミポーラGaNとレファランス用のCプレーンLED構造を同じMOCVD装置に並べて成長した。その主要な結果の一部は以下の通り。
・セミポーラGaN上に成長したLED構造は、CプレーンGaNに成長したレファランスLED構造と比べて出力強度が2.5以上だった。
・セミポーラGaNはインジウム濃度を高めることができるので、ピーク波長を〜25nm長くできる。
　6月、オステンドとTDIは、オステンド独自のデザインとTDI独自のHVPE技術を利用したサファイア基板セミポーラGaNウエハの提供を始めた。この共同開発により、HB-LEDやレーザダイオード開発者は、CプレーンGaN基板と比べて光効率を大幅に向上することができると両社は主張している。