Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

December 2, 2010, 東京--住友電気工業(住友電工)とフランスのS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.（Soitec）は、低コストGaN（窒化ガリウム）基板の開発に関して協業を開始する。　　　
協業により、住友電工の高品質GaN基板製造技術とSoitecのSmart Cut技術を組み合わせ、低コストで高品質な薄膜GaN基板の共同開発を推進する。Smart Cut技術を用いて、GaN基板に極薄の膜転写を繰り返し行うことにより、1枚のGaN基板から複数枚の薄膜GaN基板を製造。この手法により得られる薄膜GaN基板は、エピタキシャル成長によるデバイス層形成においても、GaN基板の結晶品質が保たれる。
　同技術の確立により、HB-LED照明やハイブリッド車、電気自動車向けのパワーデバイス等の分野において、GaN基板の一層の普及進展が期待されている。
　住友電工の執行役員半導体事業部長の横川正道氏は、「このユニークな協業は、今後、拡大が予想されるパワーデバイスや白色LEDをはじめ様々な分野において、我々のGaN基板を使用可能とする有力な方法だ。Soitecとの協業によって、高品質なGaN基板がより広範に利用されるようになるものと期待している。また、当社ではGaN基板の更なる高機能化を目指している」とコメントしている。
　Soitec CEOのAndre - Jacques Auberton-Herve 氏は、「我々は、最高のGaN結晶品質による薄膜基板を提供するために力を合わせていく」と語っている。