Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

November 29, 2010, パリ--シリコンフォトニクス商用化加速欧州プロジェクトHELIOSのコオーディネータCEA-Letiによると、プロジェクトパートナーが、CMOS加工に適合するプロセスを用いてレーザと10Gbps変調器を実証した。
　シリコンフォトニクスは、同じチップ上に光と電気の機能を集積することでフォトニックシステムのコストを削減し、増え続けるデータリッチコンテンツ処理で、電気接続の限界を克服しようとする新しい技術。この技術によって、光通信、チップ間やラック間の接続、データセンタケーブル、光信号処理、光センシング、生物学的応用など、幅広いアプリケーション向けにローコストソリューションが実現可能となる。
　プロジェクトの2年目では、シリコンフォトニクスの採用を加速するために構成要素とプロセスの開発が行われる。レーザは、CMOSウエハ上にIII-V材料(InP)で作製し、マイクロエレクトロニクス製造と同じ装置を用いてそれを加工して実現した。
　コンソーシアムは、消光比7dBの10Gbps シリコン変調器も実証。40Gbpsバージョンはすでに設計されており、現在試作中。最初の評価結果は来年の予定。
　「CMOSプロセスインフラで光コンポーネントを製造できることが、シリコンフォトニクスの将来性を理解するキーポイントになる」とHELIOSのコオーディネータ、フォトニクスプログラムマネージャ、Laurent Fulbert氏はコメントしている。同氏によると、HELIOSパートナーは、量産に向けてこの技術をファウンドリーやコンポーネントメーカーに移転しようとしている。
　レーザとシリコン変調器の他にHELIOSパートナーが開発している基本構成要素には、光変調器、パッシブ導波路やフォトダイオードがある。この他、最近の成果としては、高感度(0.8〜1A/W)、ローダークカレント、広帯域(130GHz)PD、高効率パッシブ導波路(MUX/DEMUX、偏波ダイバーシティ回路、ファイバカプリング、リブ/ストリップトランジション)、PDデザインフローの確立、発光と変調の新概念研究などがある。