Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

October 8, 2010, 東京--ルネサス エレクトロニクス（ルネサス）は、ガリウムヒ素（GaAs）などの化合物半導体を材料とする光半導体およびマイクロ波半導体を扱う「化合物デバイス事業」について、次の強化策を発表した。
(1)フォトカプラ、高周波スイッチICをはじめとする注力製品で世界シェア第１位の獲得・維持
(2)新素材「窒化ガリウム（GaN）」を導入した半導体製品を2010年度中に市場投入
ルネサスは、化合物半導体市場の2010年度から2012年度の年平均成長率を8%と見込んでいる。これらの強化策により化合物デバイス事業部の売上成長について、市場成長を上回る+11％を見込むとともに、同事業部の2012年度売上高を2010年度の1.2倍へ増やし、化合物半導体のトップレベルのサプライヤを目指す。

施策の要点。
(1)フォトカプラ、高周波スイッチICをはじめとする注力製品で世界シェア第1位の獲得・維持
フォトカプラ、光ストレージデバイスの世界シェア第1位獲得に加え、現在トップシェアである高周波スイッチIC、GaAs低雑音FETのさらなるシェア拡大を目指す。
＜フォトカプラ＞
省エネ意識の高まりにより成長が期待されるハイブリッドカーや電気自動車、LED照明、電力メータなどのグリーン市場に採用が進むフォトカプラについては、高温対応･低消費電力・小型パッケージの製品開発を加速する。
＜高周波スイッチIC＞
携帯電話やノートPCなどの無線通信機能をもつ電子機器において、送受信切り替えや3G/GSMなどのモード切り替え、アンテナ選択を行う高周波スイッチICについては、世界トップレベルの低損失を実現した新構造トランジスタの採用と端末の小型・薄型化ニーズに対応した小型・薄型パッケージを展開する。
(2)新素材「GaN」を導入した半導体製品を2010年度中に市場投入
GaNは、既存の半導体材料（Si、GaAsなど）と比べて高周波、高出力、高温動作が可能で、新素材である炭化ケイ素（SiC）に比べて高周波性能に優れているため、高耐圧・高速動作などが必要な高周波機器への応用が期待されている。
ルネサスは、まずケーブルテレビアンプ市場に向けてこの高信頼・高性能なGaNデバイスを新規投入し、マイクロ波/ミリ波通信機器市場へ展開。第１弾として、複数の窒化ガリウムFETやコンデンサなどの電子部品を搭載したCATV向けモジュールのサンプル出荷を2010年度中に開始する。
ルネサスは、フォトカプラや高周波スイッチICなどの注力する製品分野においてさらなるシェア向上を図るとともに、素材にGaNを導入した製品により、ケーブルテレビアンプやマイクロ波／ミリ波通信機器など高周波・高出力性能が求められる市場の開拓を推し進めながら、事業の拡大を図る。
(詳細は、www.renesas.com)