Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

October 4, 2010, 東京--EV Groupは、イーヴィグループジャパンが、東京大学に化合物半導体研究用途としてメガソニックウエハ洗浄装置EVG301を納入した。
　東京大学、高木・竹中研究室に設置されたEVG301は、ガリウムヒ素、インジウムリン、インジウムガリウムヒ素 (GaAs、InP、InGaAs)などのIII-V族化合物材料をシリコンウエハに接合する前に、ウエハ表面からパーティクルを完全除去することに特化した洗浄装置。
同研究室では大規模集積回路（LSI）デバイスに化合物半導体材料を取り入れた新しい半導体トランジスタの開発に研究の主眼を置き、従来のシリコン材料では困難とされている22nmノード以降の微細化限界を克服しようとしているが、同装置はこうした研究を加速するために用いられる。
　「半導体デバイスの小型化は物理的限界に達しており、ムーアの法則に従った伝統的スケーリングでは、高性能LSIデバイスに対する今後の要求に十分応えることができない。われわれがシリコンとIII-V族化合物半導体を組み合わせた新材料を評価し続けていることは、次世代のスケーリングで要求されるデバイス性能に対応していくための、次なる突破口を創り出すためだ。この研究をサポートするため、ボイドの発生を抑え良質なウエハ接合が実現できるEVGroupのメガソニックウエハ洗浄装置EVG301を採用した」と東京大学、高木・竹中研究室の横山正史研究員はコメントしている。
　低消費電力、高性能、高機能チップへのニーズに対応し続けるため、半導体産業は純粋なシリコンベースウエハを超えて、シリコンと新材料の組み合わせから得られるメリットを評価していく必要がある。この転換は、将来における化合物半導体市場の成長と共に、最高のエンドデバイス性能を実現するためのより効果的な製造技術への道筋となる。たとえば、II-VI族やIII-V族材料の薄膜フィルムをヘテロエピタキシャル成長によって堆積するMOCVDプロセスでは、欠陥のあるウエハができる可能性がある。これはウェーハ表面の品質にかかわり、最終的にはエンドデバイス性能にも影響を与える。ウエハ接合によりこの問題の解消が期待できます。完璧なウェーハ接合に不可欠なのは、接合面のパーティクル除去。そのため、ウエハ接合の品質とウェーハ全体の均一性に悪影響を与える、パーティクル起因のボイドをウエハの表面から除去するためにウエハ洗浄は不可欠となる。