Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

September 14, 2010, Raleigh--超高純度GaN結晶やAlN材料および関連製品、サービスを提供しているKyma Technologies, Incは、SETI(SensorElectronic Technology, Inc)と共同開発契約を結び、欠陥密度が低いAlGaN基板とこれらの材料をベースにしたハイパフォーマンスの光および電子デバイスを開発する。
　同契約に基づいてKymaは、新しい低欠陥密度のAlGaN基板を開発し、SETIはこの基板を用いて次世代高効率深紫外LEDsを開発する。
　各窒化半導体デバイスレイヤースタックは最適な基板格子定数をもっており、それが最適な格子組成を作る。AlNとGaN基板は、デバイスレイヤースタックに適しており、それぞれAlNリッチ、GaNリッチという。DUV LEDsや特定の次世代の高周波、ハイパワーエレクトロニクスなど、中間的な格子定数をもつデバイススタックにとっては、AlGaN基板が適している。
　SETIはDUV LEDsやLED光源を商用生産している世界唯一のメーカーであり、現在の製品ポートフォリオはLEDs、LED光源、240nm〜400nmまでのLEDソリューション。先頃SETIは、UVCスペクトラムで30mWを超えるハイパワーシングルチップLEDsを発表した。
　SETIの社長/CEO、Remis Gaska氏は、「この契約に基づく基板開発は、当社のハイパワーLEDsや光源のパフォーマンスの継続的改善に寄与する。新たな市場を開き、DUV LED製品における当社のリーダー的ポジション維持に資するところとなる」とコメントしている。