Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

September 2, 2010, Durham--クリー(Cree, Inc)は、シリコンカーバイド(SiC)技術の開発と商用化でブレイクスルーを達成したと発表した。同社は、10/cm2以下のマイクロパイプ密度を持つ高品質、150mmSiC基板を開発している。SiC基板で現在のクリーの標準は直径100mm。
　SiCは、照明、パワー、通信コンポーネントの製造に幅広く用いられるハイパフォーマンス半導体材料。LED、パワースイッチングデバイス、ワイヤレス通信用のRFパワートランジスタなどがある。単結晶SiC基板のサイズが大幅に拡大して150mmになったことで、コスト削減、スループットの向上が可能になり、SiC業界の継続的な成長を促進することになる。