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IQEの子会社、NanoGaNが2件の特許取得

August 6, 2010, Cardiff--IQE plcの子会社ナノガン(NanoGaN Limited)は、ブルー/グリーンレーザおよびLEDs製造ナノコラム・テクノロジーで2件の特許を取得した。
 特許のタイトルは、「高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法」(日本特許庁)。
 この特許は、高品質、フリースタンディングGaN基板製造のための同グループ独自のナノコラム技術を保護するものとなる。これは、高品質のブルー/グリーン半導体レーザおよび固体照明用超高輝度(ULH)LEDs製造にとって極めて重要。
 もう1件は、UKの特許「半導体デバイスの製造」(No.2446471)で、レーザダイオード、LEDs、太陽電池を含む半導体デバイスを直接ナノコラムプラットフォーム上に作製する技術を保護するものであり、これによりエピタキシーに使用できる基板数、タイプを拡張できる。
 最先端のブルー/グリーン半導体レーザやUHB-LEDsの製造で歩留まりを向上させ製造コストを抑制するには、安定した、結晶欠陥の少ない高品質の基板が必要となる。
 IQEは、2009年10月にNanoGaNを買収した。目的は、商用製品の開発を支援し、その技術を量産工場に移管することにあった。
(詳細は、www.iqep.com)
(注: リリースにある日本の特許No.は、2008-549935だが、これは公開番号とも出願番号とも一致しないので、検索結果は0になる。検索する場合は、出願人ナノガン リミテッド、または上のタイトルの一部を入力するとよい。)

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