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富士通マイクロエレクトロニクスとTSMC、28nm製造と開発で協力
August 28, 2009, 東京--富士通マイクロエレクトロニクスと台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー（TSMC）は28nm世代ロジックICの製造と半導体プロセステクノロジーの開発で協力する。
両社は、すでに富士通マイクロエレクトロニクスが40nm世代ロジックICの製造をTSMCへ委託することで合意している。今回、新たに28nm世代に関しても製造を委託し、さらに、製造に先がけてTSMCの先進テクノロジープラットフォームを活用した28nm世代の高性能プロセステクノロジーを共同開発することでも合意した。28nm世代製品において最初のサンプル出荷は、2010年末の予定。
富士通マイクロエレクトロニクスは処理速度の高速化を実現する先端プロセステクノロジーおよび低消費電力化を実現するデザインテクノロジーを保有し、TSMCは電力効率の高い高性能ロジックおよびSoCプロセスおよびOpen Innovation Platformの一部である先端テクノロジープラットフォームを保有している。両社はこれらの強みを結びつけることによって、28nm世代のロジックICにおいても高性能および低消費電力製品を含むTSMCの28nmテクノロジーポートフォリオをベースとした競争力のある高性能28nm世代テクノロジーを活用できる。
また両社は、協力関係による一層の顧客価値創造を目指し、富士通マイクロエレクトロニクスが強みとする、鉛フリー材料や超多ピン高密度パッケージと、TSMCが強みとするチップ・パッケージ集積技術や先進的な銅・ELK内部配線を活かした両社の先進的なパッケージ技術の共同開発を視野に入れた協議も進めている。
