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オスラム､50mW InGaNグリーンレーザを開発
August 17, 2009, ミュンヒェン--オスラム(OSRAM Opto Semiconductors)は､直接発振するInGaNレーザで､大きなラボレベルブレイクスルーを達成した｡
光出力はすでに50mWに達しており､波長515nm､真のグリーン光を発振する｡二倍波で動作する現行の半導体レーザと比較すると､直接発振のグリーンレーザは､コンパクトで温度安定性も優れており､制御も容易､変調能力を高めることも可能だ｡
オスラムは､InGaN材料システムのこれまでの限界を克服し､InGaN材料システムで高出力直接発振するグリーンレーザダイオードの製造に初めて成功した｡ダイオードは､スペクトルレンジ515~535nmで定義される｢真のグリーン｣光を発振する｡このレンジでは､効率的な高品質半導体レーザは､これまで商用では二倍波でしか提供されていなかった｡しかし､いずれ直接発振のグリーンレーザが､様々なアプリケーションで二倍波レーザに取って代わる｡直接発振のグリーンレーザは､制御が容易で温度安定性も優れており､小型であり､数100MHzの高い変調能力を提供できる｡
仮のパフォーマンスデータはすばらしいもので､ラボレベルプロトタイプはパルスモード室温で出力50mWを達成した｡しきい値電流密度は9kA/cm2｡オスラム･オプトセミコンダクタのCTO､Dr. Christian Frickeは｢この実証実験で､InGaNからグリーンレーザが製造できることを示した｡われわれは､コンパクトで､コスト効果のよい､高品質のグリーンレーザ光源を実現する方向に向かって進んでいる｣と話している｡グリーンレーザは､医療､産業の様々なアプリケーションで使用されるが､モバイルミニプロジェクタの光源としても利用される｡直接発振のグリーンレーザは､こうしたプロジェクタのパフォーマンス向上､一層の小型化に貢献する｡オスラムは､すでに青色発振のInGaNレーザダイオードを商用アプリケーション向けに製品化している｡
