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アルファライト､LDブレイクスルー技術の詳細を発表
February 3, 2009, サンノゼ--アルファライト(Alfalight, Inc)は､同社の面発光分布帰還型レーザダイオード(SE-DFB)､ブレイクスルー技術について初めて詳細を明らかにした｡
この技術は､ウエハレベルで､端面発光レーザ技術とは著しく異なるアプローチをとり､輝度と耐久性を強化しながらコストを下げるシステムソリューションを実現することができる｡特長は､端面損傷を完全に免れること､チップ上に波長安定機構があること､本質的に高輝度であることなど｡アルファライト､R&D担当VP､Manoj Kanskar氏が､フォトニクス･ウエストのコンファランスで同レーザの詳細を紹介した｡SE-DFB技術､実験結果､高出力レーザアレイにチップを搭載する際の構成概要などが発表内容｡プロトタイプSE-DFBチップ､SE-DFBベースのアレイのデモンストレーション､ファイバ結合したモジュールは､フォトニクスウエストの同社ブースで紹介された｡
SE-DFBレーザは､アルファライトの端面発光レーザで用いているものと同じ高信頼の半導体材料からなる｡標準的な端面発光レーザは半導体チップの小さな端面から発振するが､SE-DFBレーザはレーザチップ表面の大きなウインドウから発振する｡半導体チップのベース層にパタニングされた曲がりグレーティングの主要機能は次の4点｡
･キャビティを形成し､設計波長で正確な光フィードバックが行われ､発振スペクトラムは動作温度と電流の組み合わせに関わりなく狭いピークにロックされる｡
･ARコートした光ウインドウからの光の結合では､ビームは1方向にコリメートされていて､外部のオプティクスは不要｡
･波面を整形して輝度を強め､フィラメンテーション(filamentation:光の集中)を抑制する｡
･デバイスを外部の光帰還から保護する｡
SE-DFBレーザの発振ウインドウの光密度は端面発光レーザと比べると4桁小さく､そのためにSE-DFBはCOMD(端面の突然死)を免れる｡
1つのヒートシンクに複数のSE-DFBを搭載し､簡単な光エレメントを用いて光ファイバと結合することができる｡マイクロレンズもビーム変更オプティクスも不要｡
SE-DFBレーザは､アルファライトの実績ある波長安定化技術(WST)と同様､温度依存性は0.07nm/℃であり､標準的な半導体レーザと比べて温度安定性は5倍優れている｡したがって､SE-DFBレーザチップの精密な温度制御は不要｡SE-DFBダイオードは､低電流供給で駆動でき､システムコスト削減を実現する｡
アルファライトは､この技術が高出力ファイバレーザや固体レーザのポンプ､材料加工やIR照射などの直接的なアプリケーションで長所を発揮できると見ている｡
