窒化ガリウム高電子移動度トランジスタDie

Cree 社は、40W のCGHV60040D、50V および 170W のCGHV60170D を含む50V GaN HEMT* （窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ） Die シリーズを発表した。同シリーズは6 GHzまで動作可能で、ユニークな市場向けの裸のGaN HEMT dieである。ダイの電源効率は６５パーセント向上し、小信号利得は17 dB。
　「新製品の0.4um の50V GaN HEMT die はハイブリッドなアンプ設計者に高い利得と効率を提供。また広い瞬時周波数帯域で動作して、シリコン（Si） とヒ化ガリウム（GaAs） 技術のユニークな代替を提供する」と同社は話している。
　詳細は下記のウェブへ。（2014/10/08）
　- CGHV60040D
　- CGHV60170D

訳者注：HEMT :High Electron Mobility Transistor ：半導体ヘテロ界面に生成される２次元電子ガスをチャンネルに用いる高速トランジスタ。