エミッション性能が改善した600V/650VのSuper Junction N-Channel Power MOSトランジスタ

　Storage & Electronic Devices Solutions Company社は、600V/650Vのスーパージャンクション構造のN チャネルパワーMOSFET（MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Efect-Transistor）を発表した。これは工業用／オフィス機器に使用するためエミッション性能を改善したものである。この「DTMOS V」シリーズは１２種類の製品でスタートする。サンプル出荷は2017年2月22日に開始されており、大量生産は3月半ばの予定。新シリーズは、東芝製の現行品「DTMOS IV」シリーズと同レベルの低いオン抵抗と高速のスイッチングスピードを保持する一方、最適化された設計プロセスによりEMI 性能が約3 ～ 5 dB改善した。またエリア（RON x A）性能ごとのオン抵抗を減らした結果、DPAKパッケージラインアップに650V 0.29 Ωの新製品を追加することに成功している。新シリーズの製品は、高性能かつコンパクトサイズが必要な工業用・オフィス用機器、ノートPCおよびモバイル機器のアダプタや充電器、パソコン、プリンタなどの電源使用に適している。
　詳細はBusiness Wireのウェブへ。（2017/02/22）