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産総研、約2400℃まで熱膨張を正確に計測できる装置を開発

November 26, 2013, つくば--産業技術総合研究所(産総研)計測フロンティア研究部門構造物画像診断グループ 津田浩研究グループ長、岩下 哲雄上級主任研究員は、2400℃までの超高温域で人造グラファイトなど工業用カーボン材料の熱膨張を計測できる装置を開発した。
この装置では熱膨張による試験片の寸法変化を、高密度等方性グラファイトを参照物質とした接触法とレーザマイクロゲージ(LMG)を利用した非接触法の二つの方法で同時に計測し、互いに補完させることで、2400℃の高温領域での線熱膨張率および熱膨張係数を正確に計測できる。人造グラファイトを発熱体などに利用する製鋼や精錬、半導体製造などの技術の高度化への貢献が期待される。
材料を高温製造プロセスで利用するためには、材料自体の耐火・耐熱などの耐熱衝撃性が求められる。一般に、材料は温度変化で体積が変わるので、1℃の温度変化に対する寸法変化率、すなわち、熱膨張係数が耐熱衝撃性評価の指標となる。高温での耐火物などの熱膨張を試験する方法は、JIS R2207「耐火物の熱膨張の試験方法」で規格化されている。しかし、接触法による線熱膨張率の測定において参照物質として従来用いられてきた高純度アルミナ焼結体は、2000℃を超える高温では使用できず、より耐熱温度の高いグラファイトを使用するしかない。他方、LMGをはじめとするレーザ光走査型寸法測定器を用いた非接触法の熱膨張率の測定は、超高温では電気炉からの放射光が強烈で受光部に散乱光が入り込むため、これまでは1800℃程度までの温度が上限であった。
今回、発熱体および計測ジグだけでなく、参照物質にも高密度等方性グラファイトを用いて超高温用の熱膨張計測装置を開発した。接触法による測定では、高密度等方性グラファイトの耐熱温度である3000℃付近まで計測できるが、超高温領域では、炉内温度と炉外に設置した差動トランス(伸び計)の温度差が大きく、測定誤差が大きくなるため、LMGを導入して、接触法と非接触法による計測を互いに比較できるようにした。非接触法による測定については、電気炉からの散乱光がLMGの受光部に入りにくいようにした。これらにより、2400℃まで両方法による線熱膨張率の同時計測が可能になった。
試験片と計測ジグをセットできるように、高密度等方性グラファイトの発熱体を電気炉の前後面に配置。前面の発熱体は、電気炉のドアの内側に取り付けてある。左右面にはLMGによる計測ができるように光路を確保。試験片と接触法による計測用の検出棒と差動トランスは電気炉の上下方向に配置。また、この装置の試験片サイズは、直径20mm×長さ100mmの丸棒とした。これは、工業用カーボン材料の物理特性測定方法のJIS規格(JIS R7222)に準拠したサイズ。
開発した装置による計測では、1400℃までの結果は、従来法によって計測された熱膨張率から計算した伸び量とよく一致していた。また、1400℃以上の高温領域のデータは、今回初めて得られた計測結果であり、新規な参照データとなる。昇温過程と冷却過程のデータには、ほとんど差異がなかった。
人造グラファイトの製造工程の一つに「黒鉛化」という超高温熱処理があり、その際に熱収縮現象が起こる。今回開発した装置を用いて、2400℃といった超高温領域まで試験片の寸法変化を計測し、この熱収縮現象を“その場観察”できた。1000℃までは熱膨張を示したが、1000℃以上になると結晶化に伴う急激な熱収縮が始まった。熱収縮の挙動が1600℃付近で変化することが今回初めて見いだされた。熱収縮による歩留まりの低下を改善する基礎データとなる。また、LMGによる非接触法と接触法による熱膨張率の計測値には、ほとんど差がなく互いの方法が補完され、正確に計測できていることが確かめられた。
SiCのようなパワー半導体材料の製造では、大きな単結晶を作るために、超高温領域で熱膨張係数の小さいグラファイト材料が望まれている。今回開発した装置を用いたLMGによる非接触法では、マイクロメートルオーダーの精度で計測できるので、パワー半導体製造の高度化に貢献できると期待される。
今後は、種々の工業用カーボン材料の線熱膨張率や熱膨張係数の測定を行い、データを蓄積するとともに、出発原料、製造条件や結晶構造などが熱膨張係数に与える影響を調べていく。数年後にはこの計測技術を外部に技術移転することも検討していく。

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