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エピウェハ市場、2020年に40億ドル

July 23, 2013, Boston--ラクスリサーチ(Lux Research)によると、LED照明が800億ドル産業になるので、LEDを造るためのエピタキシャルウェハの市場は2020年には40億ドルに成長する。
現在、このエピウェハの大半は、GaN-on-サファイア。GaN-on-Siは、経済的に大きな魅力がある(シリコンは、サファイア基板のコストのわずか1/8)ことから主要な新興技術となっているが、技術課題があるために2020年におけるGaN-on-Siの市場シェアは10%にとどまると予測されている。クリー(Cree)が優位を占めるGaN-on-SiCは、市場シェア18%を獲得すると予測されている。
「シリコンはすでにエレクトロニクスに広く使用されており、LEDダイメーカーの中にはシリコン基板のメリットを生かしたいと考えているところもあるが、GaN-on-SiはGaN-on-サファイアよりも亀裂が生じやすく、このミスマッチを緩和するのが高価につく」とラクスリサーチのアナリスト、Pallavi Madakasira氏は指摘している。同氏は、「縮小する期待:2020年までにGaN-on-Siはサファイアを凌駕できない」の著者。
ラクスリサーチのアナリストは、GaN-on-サファイア、GaN-on-SiC、GaN-on-バルクGaN、GaN-on-Siエピウェハ市場を研究し、業界がより大きなサイズのウェハに移行しようとしていることを背景に、各技術の経済展望を評価している。

主な調査結果
・LEDの選択とコストが普及を決める。GaN-on-サファイアは全てのアプリケーションに適しているが、GaN-on-バルクGaNはニッチ商用照明、GaN-on-Siはパフォーマンスが実証されていないのでコストが重視される住宅アプリケーションに適している。
・6インチウェハが台頭してくるが、4インチウェハが支配的になる。4インチウェハは、2017年の販売学が21億ドルで市場シェアは62%とピークに達する。その後は、LED業界は6インチエピウェハに移行し、6インチは2020年には販売額14億ドル、シェア35%に達する。
・サファイア基板の技術は進歩する。サファイア基板製造技術は、ルビコン(Rubicon)やモノクリスタル(Monocrystal)が12インチ基板を実証しているように著しく進歩した。ハイドライド気相成長法(HVPE)のような新しい方法によりスループットが一段と改善され、コストが下がるので今後10年のサファイアは高い競争力を維持する。
(詳細は、 www.luxresearchinc.com)

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