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Imec、完全集積シリコンフォトニクスプラットフォーム提供
April 2, 2013, Anaheim--Imecは、ePIXfabを通じた費用共同負担Multi-Project Wafer(MPW)サービスにより完全集積シリコンフォトニクスプラットフォーム提供を発表した。
このプラットフォームにより、ハイパフォーマンス光トランシーバ(25Gbps、それ以上)、光センシング、ライフサイエンスアプリケーション向けたシリコンフォトニクスICの経済的なR&Dが可能になる。提供される集積コンポーネントには、低損失導波路、効率的グレーティングカプラ、高速SiEO変調器、高速ゲルマニウム導波路型PDが含まれる。
Imecとゲント大学の関連研究所は、2007年以来、ePIXfab社を通じてパッシブシリコンフォトニックコンポーネント向けプラットフォームを費用共同負担でR&Dに提供してきた。ここで、imecは、標準130nm CMOSツールセットを用いて、高速光変調器や集積ゲルマニウムPDなどのアクティブコンポーネントにシリコンフォトニクスの提供を拡大する。
初回のテイプイン登録は、2013年10月9日に開始となり、最初のデバイスは2014年5月に出荷となる予定。サポート、登録、デザインキットアクセスは、Europractice ICサービスが世界のMPWパートナーと協力して行う。
(詳細は、www.imec.be)
このプラットフォームにより、ハイパフォーマンス光トランシーバ(25Gbps、それ以上)、光センシング、ライフサイエンスアプリケーション向けたシリコンフォトニクスICの経済的なR&Dが可能になる。提供される集積コンポーネントには、低損失導波路、効率的グレーティングカプラ、高速SiEO変調器、高速ゲルマニウム導波路型PDが含まれる。
Imecとゲント大学の関連研究所は、2007年以来、ePIXfab社を通じてパッシブシリコンフォトニックコンポーネント向けプラットフォームを費用共同負担でR&Dに提供してきた。ここで、imecは、標準130nm CMOSツールセットを用いて、高速光変調器や集積ゲルマニウムPDなどのアクティブコンポーネントにシリコンフォトニクスの提供を拡大する。
初回のテイプイン登録は、2013年10月9日に開始となり、最初のデバイスは2014年5月に出荷となる予定。サポート、登録、デザインキットアクセスは、Europractice ICサービスが世界のMPWパートナーと協力して行う。
(詳細は、www.imec.be)
