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UV-Cレーザ製造向けAlN基板プラットフォームの有効性を立証
February 7, 2013, Morrisville--HexaTechは、UV-C LEDの開発と並行して、最高品質の単結晶AlN基板に成長した、光励起AlGaNベースレーザを実証した。
レーザ構造はHexaTechで製造し、ノースカロライナ州立大学(NCSU)と共同で試験した。特徴は、波長264nmと280nmで発振しきい値が85kW/㎝2。これは記録的なレーザパフォーマンスであるだけでなく、UV-Cオプト・エレクトロニックアプリケーション向けのHexaTechのAlN基板プラットフォームが価値のある提案であることを立証するものである、とHexaTechは強調している。
Dr. Andy Xieによると、テスト結果から、低いポンプ強度で発振すること、観察された出力ピーク線幅が0.02nmと狭いこと、TEモード偏向、楕円FFP、適切に動作するレーザとなる兆しなどが観察された。
観察された低いポンプ強度での発振は、UV-Cレンジの短波長で動作する半導体レーザ開発に向けて、重要な到達点と言える。
化学、生物学、爆発物の検出などに使えるUV-C(14～280nm)レーザの商機は大きく、同社CEO、Joe Grzyb氏は、「HexaTechのAlN結晶成長とウエハ製造はすでに、これまでは達成できなかったデバイス寿命を持つ、世界第一級のUV-C LEDの開発に進んでいる。当社のAlN基板プラットフォームによって、UV-Cオプト・エレクトロニクスは新たなパフォーマンスレベルに発展する」とコメントしている。
(詳細は、www.hexatechinc.com)
レーザ構造はHexaTechで製造し、ノースカロライナ州立大学(NCSU)と共同で試験した。特徴は、波長264nmと280nmで発振しきい値が85kW/㎝2。これは記録的なレーザパフォーマンスであるだけでなく、UV-Cオプト・エレクトロニックアプリケーション向けのHexaTechのAlN基板プラットフォームが価値のある提案であることを立証するものである、とHexaTechは強調している。
Dr. Andy Xieによると、テスト結果から、低いポンプ強度で発振すること、観察された出力ピーク線幅が0.02nmと狭いこと、TEモード偏向、楕円FFP、適切に動作するレーザとなる兆しなどが観察された。
観察された低いポンプ強度での発振は、UV-Cレンジの短波長で動作する半導体レーザ開発に向けて、重要な到達点と言える。
化学、生物学、爆発物の検出などに使えるUV-C(14～280nm)レーザの商機は大きく、同社CEO、Joe Grzyb氏は、「HexaTechのAlN結晶成長とウエハ製造はすでに、これまでは達成できなかったデバイス寿命を持つ、世界第一級のUV-C LEDの開発に進んでいる。当社のAlN基板プラットフォームによって、UV-Cオプト・エレクトロニクスは新たなパフォーマンスレベルに発展する」とコメントしている。
(詳細は、www.hexatechinc.com)
