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Soraa、DOEのGaN基板ARPA-Eプロジェクトに選定される

August 10, 2012, Fremont--GaN on GaN固体照明技術の世界最先端の開発を行っているSoraaは、エネルギー省(DOE)エネルギー先端研究計画局(ARPA-E)がバルクGaN基板開発プロジェクトを主導するためにGaN on GaNを選定した、と発表した。
GaNを基板に使うことで多くの産業にとって展望が開けるが、直近のアプリケーションとしては、Soraaが製造しているLEDアプリケーションがある。商用として実現性が高い新しい基板の大きな利点は、効率とパフォーマンス向上で有望な、画期的技術であるということだ。GaN on GaN LEDは、従来の照明技術よりも高いパフォーマンスを実証したこと、したがって大きなエネルギー節約の可能性があるということで、特別な注目を集めている。
現在、これはARPA-Eが資金を提供する唯一のLED基板プロジェクトとなる。
Soraa創始者、中村修二氏によると、GaN基板におけるブレイクスルーの範囲は広い。「数10年にわたり、LEDのGaNを研究し続けて来たが、それが極めて重要な開発であり、照明やパワーエレクトロニクスなどで一段とエネルギー効率の優れた技術として有望であると考えたからだ」と同氏はコメントしている。
GaNは、全ての白色、青色、グリーンLEDの製造に使用されている、他に類を見ない半導体。これら今日のLEDのほとんどはGaNを非天然(non-nature)基板、一般的にはサファイアもしくはシリコンカーバイド基板上に成長することで作製されている。一方、全てのその他の半導体技術は、Si on Si, GaAs on GaAsなど「天然」(nature)基板を使用している。Soraaは、優れたGaN on GaN LEDをベースにした製品を出荷している世界唯一のメーカー。今日まで、GaN on GaN技術を大規模アプリケーションに採用することは、高コストになるためできなかった、1つには安価な天然のGaN基板がなかったからだ。バルクGaN製造という課題に米国製のソリューションを実現することは、経済効率が一段と高く、安価なコンポーネントが簡単に手に入るようになるため、Soraaにとっても、LED業界、さらにはアメリカの消費者にとっても利益になる。
LEDは新しい基板によく適合している、光品質などパフォーマンスが強化され、エネルギー効率も向上するからだ。化合物の生来の物理特性により、GaN on GaN LEDは他の基板を使用したダイオードよりも高いパワー密度に耐えることができる。このことは、ランプあたり遙かに高輝度のダイオード、ただ1つのLED素子で足りることを意味する。他の基板を使用する他社は、3個、4個、場合によってはそれ以上を使わなければ同等の輝度に達しない。1個のランプに複数個の光源を入れると、ぼやけた影ができ、くっきりとした光にならない。これは、商用、美術館、ハイエンドコンシューマアプリケーションで使うMR-16の仕様を満たさない。MR-16ランプ/バルブはSoraaが初めて商品化した製品。
ARPA-E、米国エネルギー省の新設機関は、エネルギー変換技術のみに投資している。今回は、2011年にスタートしたこのプロジェクトのコンソーシアムメンバーとしてSoraaに資金提供を始めた。ARPA-Eは、Soraaをこのプロジェクトの主導組織にすることを決定しており、SoraaはARPA-Eと協働してGaN基板技術商用化を進める主契約者となる。GaN基板のアプリケーションは、USのエネルギー消費を30%以上削減する可能性がある。その同じアプリケーションの潜在的市場は、レーザダイオード、パワーエレクトロニクスを含め、年間500億ドルを超えるとUS DOEは試算している。
(詳細は、www.soraa.com)

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