Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

May 28, 2012, Singapore--A*STAR Institue of Microelectronics(IME)とNXP Semiconductors(NXP)は、200mm GaN-on-Siプロセスの共同開発を行う。同技術は、コンピューティング、通信、航空および自動車などのエンドアプリケーションに高効率エネルギーソリューションを実現するための高電圧パワーデバイス。
IMEとNXPは200mmウェハでGaNデバイスを製造するためのプロセス技術の共同開発を行う。これにより、現在の小サイズウェハと比べて製造コストの大幅削減が期待できる。開発は、IMEの最先端200mmエンジニアリングファブで行われる。同工場には、GaNウェハ製造用の世界最高クラスのGaN MOCVDが設置されている。
窒化ガリウム(GaN)は、シリコン以来最も重要な半導体材料の1つで、高温動作が可能な次世代高周波、ハイパワートランジスタの重要材料として使われている。GaN-on-Siでは、大型シリコンウェハ上で、高電圧動作、高速スイッチング、低損失、高集積などの利点が統合される。CMOS準拠デバイスプロセスにより、規模の経済、高スループット適合、大面積200mmシリコンベースウェハプロセス技術を活用してコスト効率のよい量産が可能になる。