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PICベース40GBASE-LR4と100GBASE-LR4 PICレシーバ

May 23, 2012, Santa Fe--IEEEフォトニクスソサイエティ光インタコネクト会議で、ワンチップ(OneChip Photonics)は、今年下期にPICベース40GBASE-LR4と100GBASE-LR4レシーバチップのエンジニアリングサンプルを提携先テスト用に出荷すると発表した。
PICベースレシーバチップは、1個のInPベースチップに40GBASE-LR4と100GBASE-LR4信号受信に必要となる全てのアクティブ、パッシブ光コンポーネントがモノリシック集積されており、これによりトランシーバメーカーは、幅広い伝送距離(10kmまで)で、長波長(1300nm付近)データ通信アプリケーションに、より経済的、効率的に対処できる。これには次世代データセンタインタコネクト(NG DCI)向け高密度インタフェースも含まれる。
同社創始者/CTO、Dr. Valery Tolstikhinによると、同社はPIC技術でFTTH市場においてソリューションの優位性を実証し、これに続いてデータ通信市場にPIC技術を展開しようとしている。「完全集積レシーバ、トランシーバPICを提供することでInPベースのWDMコンポーネントがデータセンタ市場、特にNG DCIアプリケーションの極めて大胆なコストとサイズ要求に応えられる」と同氏は説明している。
市場状況についてOvumのコンポーネント担当主席アナリスト、Karen Liu氏は、「光インタコネクト速度が40Gbps、100Gbps、それ以上になってきているので、業界は基本のデバイス速度から光集積に向かって進みつつある。ワンチップが提供するようなPICチップによって、幅広いアプリケーションで、爆発する通信ニーズに対処できるトランシーバやシステムソリューションに向けたコストや実装密度が実現可能となる」とコメントしている。
ワンチップは、40GBASE-LR4送信器光コンポーネントと100GBASE-LR4シングルチップ送信器コンポーネントのエンジニアリングサンプルも、PICベースレシーバチップリリース後、今年末には提供可能になる、としている。40GBASE-LR4送信器コンポーネントには、SSC(spot-size converted)付波長1271, 1291, 1311, 1331nmDFB直接変調レーザと集積モニタPDsが含まれる。100GBASE-LR4送信器PICは、1300nm帯800GHzスペーシング、25Gbps動作の4個のDFB-EAM外部変調レーザ、モニタダイオード、WDMコンバイナ、SSCが集積されている。
ワンチップのPICベース40GBASE-LR4と100GBASE-LR4 PICレシーバ集積レシーバチップは、競合するハイブリッド集積やシリコンフォトニクスソリューションと比べてパッケージや製造コストは大幅に下がる。また、このチップのサイズは市場最小。ワンチップは、これらのチップによってデータセンタの短距離、中距離LR4トランシーバのコストが経済的になると見ている。
ワンチップ PICは、Multi-Guide Vertical Integration(MGVI)プラットフォームを用いて設計、製造している。MGVIは、同社固有の再成長フリーフォトニック集積技術であり、これにより他の実装技術に比べるとコストが下がり、歩留まりが向上する、と同社では説明している。

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