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自己バンドギャップ変調を持つ接合ナノワイヤ構造体の高速形成

January 24, 2012, つくば--NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA)の深田直樹グループリーダーの研究チームは、テーパー構造を有し、内部にpn接合を持ったシリコンからなる新しいナノ構造を高速形成する成長技術を開発した。
研究チームは、「その構造によって、pn接合を平面構造に比べ実効的に100倍にすることも可能である」と説明している。
pn接合を内部に形成したテーパー構造を有するシリコンナノワイヤを太陽電池に採用することで、太陽電池の高効率化につながる可能性がある。また、シリコンの消費量の低減にも役立ち、コスト削減も期待できる。
研究成果は、2012年2月15日(水)から17日(金)の期間に東京ビッグサイトで開催される「nano tech 2012」においてポスター発表する予定。

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