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東京エレクトロンとASML、先端技術分野で共同開発加速に合意

December 2, 2011, 東京/ブリュッセル--東京エレクトロンとASML Holding NV(ASML)は、最先端リソグラフィ分野であるEUV(極紫外線)技術、および液浸ArF技術において最新装置環境を整え、共同開発を加速することで合意した。
この合意は、22nmおよびそれ以細のパターニングにおいて重要な技術となるEUVと、現在の先端デバイス製造の主流である液浸ArF技術の延命に対する顧客の要求増加に対応するもので、東京エレクトロンとASMLは両先端技術戦略を強化することにより、20nm以細のデバイス開発に向けて最善なリソクラスタを提供する。その一環として、両技術分野で新たに次の2拠点の環境整備を行い、開発・検証とお客様向け評価を含む市場サポートを加速する。

EUV露光技術 <ASMLに東京エレクトロンの最新EUV向け塗布現像装置を導入>
EUV露光技術は、極紫外線を用いた22nm以細向け次世代リソグラフィ技術の有力候補の1つであり、世界中で精力的に研究開発が進められている。
両社はかねてよりEUVプロセスの基礎検証やユーザ向け評価を共同で行っていたが、今回新たに共同開発契約を締結し、ASML本社開発拠点(オランダ、フェルトホーフェン)に東京エレクトロンの最新EUV向け塗布現像装置を導入し、ASMLの量産向け最新鋭EUV露光装置TWINSCAN NXE:3300と共同で評価を進めることで、2012年以内に22nm以細に向けた装置技術の確立を目指す。
具体的には、LWR改善、パターン倒れ抑制、欠陥制御、線幅均一性向上をテーマに活動を進め、EUV量産体制への移行を強力にサポートする。

液浸ArF露光技術 <東京エレクトロン九州にASMLの液浸ArF露光装置を導入>
現在、微細パターン形成技術の主流となっている液浸ArF技術のさらなる延命要求に応えるため、ASMLでの開発のみならず、東京エレクトロン九州の合志事業所(熊本)でもNA1.35の液浸ArF露光装置を導入する。これによりフェルトホーフェンと熊本の両拠点において、露光機および塗布現像装置の最新機能検証・実証、さらには、両社のリソクラスタですでに達成している4000WPDを上回る生産性向上を追求する。

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