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HELIOS、40Gbpsシリコン光変調器をデモ

September 20, 2011, London--CEA-Letiは、ヨーロッパの研究/企業チームがCMOSファウンドリでシリコンフォトニクス回路製造に向けた大きな成果を達成したと発表した。
HELIOSプロジェクトメンバーは、消光比10dB、シリコン40Gbps光変調器を初めて実証することで、複合機能のシリコンフォトニクスデバイスの設計からプロセスレベルまでのサプライチェーン全体実現に必要なプロジェクト目標の1つを達成した。
40Gbps変調器に加えてHELIOSパートナーは、様々な業界ニーズに対応する複数の他の複合的フォトニックICにより製造サプライチェーンを構築しつつある。これには16×10Gbpsトランシーバ、フォトニックQAM–10Gbpsワイヤレス伝送システム、多機能アンテナ向けミックスト–アナログ/デジタルトランシーバモジュールが含まれる。
変調器回路は、UKサリー大学先端技術研究所(Advanced Technology Institute, University of Surrey)シリコンフォトニクスグループのスタッフが設計、評価し、プロジェクトのまとめ役であるLetiのCMOS適合プロセスで製造した。
シリコンフォトニクスは、量産市場の要求に応えられる唯一の実行可能技術と見なされており、光通信、光インタコネクト向けに、マイクロエレクトロニクス回路で関心が高まっている。
CMOSフォトニクスは、光通信、半導体チップと回路ボード間の光インタコネクト、光信号処理、光センシング、生物学的アプリケーションなど幅広い分野向けのローコストソリューションとなる可能性がある。

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