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シリコン技術でAlcatel-Lucentベル研、Thales, CEA-Letiが提携

March 18, 2011, Saclay--アルカテル-ルーセントベル研(Alcatel-Lucent Bell Labs)、タレス(Thales)、CEA-Letiは、CEA-LetiがIII-V Labに加わり、III-V半導体分野ではすでにヨーロッパ最先端となっているR&Dセンタの開発力を強化すると発表した。
この新しい公私企業提携は、III-V半導体とシリコン技術を統合して、新たな開発展望と動力学を開くことを目的としている。拡大III-V Labは、研究者、技術者、博士候補者、総勢130名を超える。
この新たな提携で、シリコン、マイクロエレクトロニクス、異種品集積(heterogeneous integration)、これら3分野の専門技術を活用することができるようになる。
・シリコンCMOS集積回路上にIII-Vコンポーネントの速度、消費電力などの優れた光機能を集積。
・アクティブIII-V(光、マイクロ波、ハイパワーコンポーネンツ)とシリコン回路やマイクロシステムとの異種品集積により、高機能で小型のコンポーネントを開発。
・シリコン基板上にIII-Vコンポーネントを作製し、シリコンマイクロエレクトロニクス製造ラインでコストダウンを図る。
 マイクロ/ナノ技術の研究センタとして世界トップクラスのCEA-LetiがIII-V Labの機能を強化する。III-V Labは、2004年にアルカテルとタレスが設立し、これによって、両社が対象とする通信、宇宙、防衛、セキュリティなどの市場向けに、オプトエレクトロニクスとマイクロエレクトロニクスのいずれでも利用可能な共通プラットフォームの開発が促進された。CEA-Letiは、同社のIPおよび、シリコン、マイクロエレクトロニクス、マイクロシステムの専門家、ヘテロジニアス集積を組み合わせることで、同研究所のターゲットアプリケーションを大幅に拡大した。
(詳細は、http://www-leti.cea.fr/en)

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