Laser Focus World JAPAN　レーザーフォーカスワールドジャパン

January 31, 2011, サンディエゴ--ロームセミコンダクタ(ROHM Semiconductor)は、近接センサアプリケーションに適したハイパフォーマンス赤外LED新シリーズを発表した。
SIM-030/031STとSIM-040/041ST表面実装IR LEDは、950nmデバイスに対して、850/870nmでピーク出力が得られるブレイクスルーIR波長技術が特徴。850/870nmは、フォトトランジスタ(センサ)のピーク波長感度に遙かに近いので、近接センシングの効率が向上し、66％までのエネルギー節約となる。また、小型パッケージ、薄型であるため、携帯電話やその他のポータブル機器用に適している。
小さい方のデバイス、SIM-030/031STは2.3×1.95mm、高さは0.9mm。順方向電流(IF)100mA、デバイスの出力は30mW/sr(milliwatts/steradian)。大きめのデバイスSIM-040/041ST (3.1×2.25×1.6mm)は、40mW/sr(ティピカル)。
ロームセミコンダクタのフィールドアプリケーションエンジニア、Avi Elmaleh氏はSIM-030/031STについて、「携帯電話には最適だ。デバイスが耳に近づくとディスプレイを消すことができる」とコメントしている。