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アーバ・フォトニクス、国立科学財団から融資を受ける

September 13, 2010, Ann Arbor--アーバ・フォトニクス(Arbor Photonics, Inc)は、「EUVリソグラフィ向けハイパワーパルスファイバレーザ」の開発で国立科学財団(NSF)からSBIRPhase IB融資を受けた。
 この追加融資は、1030-1090nm波長範囲のシングルモード平均出力200W、数mJ、ナノ秒(ns)レーザ実現のための3C(Chirally-coupled Core)光ファイバ製造支援となる。この3Cコンセプトは、画期的な光ファイバで、ラージコアファイバからの単一空間モード出力を得るために内部構造を利用している。現状の3Cファイバは直径35μmの中心コア、M2<1.1、100Wオーダのパワーレベルで、すでに短パルス出力は100kWを超えている。同社によると、向上するパフォーマンス目標を満足するためには、現在のファイバデザインは、少なくともコアの直径が50μmとしなければならない。
 このPhase IB融資は、Phase Iの設計の拡張に充てられる。Phase Iは、極めて優れたビーム品質と狭線幅のハイパワー、シングルエミッタファイバレーザの開発が目標だった。これらの特徴により、空間的に近いレーザチャネルをスペクトラル的に統合して平均数kWのシングルビームナノ秒パルスを作り出す。結果としてできあがるレーザシステムは、次世代レーザ誘起プラズマ極紫外リソグラフィLPP EUV(Laser Produced Plasma Extreme Ultraviolet Lithography)での使用が目的。2009年国際半導体技術ロードマップ(ITRS)によると、EUVリソグラフィはハイパフォーマンス半導体ICのパタニングに2016年までに必要となる。

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