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オスラム、50mW InGaNグリーンレーザを開発

August 17, 2009, ミュンヒェン--オスラム(OSRAM Opto Semiconductors)は、直接発振するInGaNレーザで、大きなラボレベルブレイクスルーを達成した。
 光出力はすでに50mWに達しており、波長515nm、真のグリーン光を発振する。二倍波で動作する現行の半導体レーザと比較すると、直接発振のグリーンレーザは、コンパクトで温度安定性も優れており、制御も容易、変調能力を高めることも可能だ。
 オスラムは、InGaN材料システムのこれまでの限界を克服し、InGaN材料システムで高出力直接発振するグリーンレーザダイオードの製造に初めて成功した。ダイオードは、スペクトルレンジ515~535nmで定義される「真のグリーン」光を発振する。このレンジでは、効率的な高品質半導体レーザは、これまで商用では二倍波でしか提供されていなかった。しかし、いずれ直接発振のグリーンレーザが、様々なアプリケーションで二倍波レーザに取って代わる。直接発振のグリーンレーザは、制御が容易で温度安定性も優れており、小型であり、数100MHzの高い変調能力を提供できる。
 仮のパフォーマンスデータはすばらしいもので、ラボレベルプロトタイプはパルスモード室温で出力50mWを達成した。しきい値電流密度は9kA/cm2。オスラム・オプトセミコンダクタのCTO、Dr. Christian Frickeは「この実証実験で、InGaNからグリーンレーザが製造できることを示した。われわれは、コンパクトで、コスト効果のよい、高品質のグリーンレーザ光源を実現する方向に向かって進んでいる」と話している。グリーンレーザは、医療、産業の様々なアプリケーションで使用されるが、モバイルミニプロジェクタの光源としても利用される。直接発振のグリーンレーザは、こうしたプロジェクタのパフォーマンス向上、一層の小型化に貢献する。オスラムは、すでに青色発振のInGaNレーザダイオードを商用アプリケーション向けに製品化している。

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