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InterOpto/BioOpto　出展製品特集　詳細

次世代型高輝度レーザバー

掲載日：2013/10/13

ドイツ・イエナオプティック社は次世代の高出力・高効率の波長8xx-9xx nm半導体レーザを発表。革新的なエピレーザ構造の採用により波長808nmのQCWバーから平均300W、ピーク500Wで寿命は4x109ショットを達成。また波長976nm、19エミッター、エミッター幅100μm、ピッチ500μm、共振器長2mmの実装パッケージで最大WPE=67%、80W出力時WPE =66%を実現している。ビームプロファイルは出力84Wで発散角SA=8°、FA=45°（出力の95%）。