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世界最大級GaN基板製造実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認

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November, 22, 2021, 東京--NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において、(株)日本製鋼所と三菱ケミカル(株)は、パワーエレクトロニクス用大口径バルク窒化ガリウム(GaN)基板の実証開発に取り組んでいる。
 実証開発では2021年5月に竣工した世界最大級のGaN基板製造実証設備(大型実証設備)を使い、高品質なGaN基板の低コスト製造技術「SCAATTM-LP」を用いた4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長試験を進めており、4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認した。

大型実証設備はパイロット設備のオートクレーブ(圧力容器)に比べ大幅なスケールアップを行っており、大量のGaN基板の製造が可能である。

今後は、超高効率デバイスの実現への貢献を目指し、4インチGaN基板のさらなる高品質化を継続する。
(詳細は、https://www.nedo.go.jp)