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シリコンベースIII-V半導体ナノワイヤレーザを開発

Prof-Huffaker

June, 3, 2019, Santa Clara--カーディフ大学(Cardiff University)の研究チームは、人の毛髪幅の1/10サイズ以下の小さな発光ナノレーザがシリコンチップ設計に組み込めることを示した。
 フォトニックバンド端レーザは、超高速動作が可能であり、光コンピューティングから、リモートセンシングや赤外線追尾まで、世界中のエレクトロニクス産業の広範な新規アプリケーション提供に役立つ。
 Diana Huffaker教授は、カーディフ大学の化合物半導体科学ディレクタ。「これは、フォトニックバンド端レーザが、どのようにパタンドシリコン・オン・インシュレータプラットフォームに直接集積できるかを示す初の実証である」と同氏は話している。
 「シリコンは、半導体産業で最も広く利用されている材料。とは言え、コンパクトな光源をこの材料に集積することは難しかった。われわれの研究は、シリコンプラットフォームに集積された極微小レーザを開発することで、この障壁を打破した。これは、さまざまなシリコンベース電子、光電子およびフォトニックプラットフォームに適用可能である」と同氏は続けている。
 論文「パタンドシリコン-オン-インシュレータプラットフォーム上の室温InGaAsナノワイヤアレイ・バンドエッジレーザ」は、Physica Status Solidi – RRLに発表された。
 同教授の研究は、ナノスケールエピタキシ、製造と光電子デバイス。活動中のプロジェクトは、3Dナノレーザ、先端フォトディテクタおよびフォトボルテイクス。
 化合物半導体センター、Dr Wyn Meredithは、「この研究は、急拡大するフォトニクス分野に長期的に影響する。特に重点が置かれるのは、マスマーケット通信やセンシングアプリケーション向けの大量、高い仕様の光コンポーネントのコモディティ化である」とコメントしている。
(詳細は、https://cardiff.imgix.net)