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imec、シリコンフォトニクスプラットフォームで50G NRZサポート

March, 22, 2016, Leuven--imecは、ウエハスケール集積シリコンフォトニクスプラットフォーム(iSiPP)の多様な主要構成要素の改善をOFC2016で発表する。
 新しい成果は、imecのiSiPPデバイスポートフォリオを拡大し、50Gb/s NRZレーンレートをサポートするものであり、高密度、高帯域、低消費電力テレコムおよびデータコムトランシーバをターゲットにした高データレートシリコン集積光インタコネクトの実現にとって、またセンサやLiDARなどの低コスト量産アプリケーションにとっても重要な到達点になる。
 プロセスと設計の最適化により、imecはシリコンベースの進行波MZMとリング変調器の動作速度を改善し、50Gb/s NRZレーンレートを達成した。加えて、50GHzを超えるE/O帯域を持つ、Cバンド GeSi電界吸収型変調器を開発し、56Gb/s超でNRZ変調を可能にした。全ての変調器タイプは、競争力のある駆動電圧2Vpp以下で駆動でき、電力効率のよいCMOS駆動回路との適合が可能である。
 高速フォトディテクタの応答性は、1A/Wに改善されており、高感度50Gb/s NRZレシーバがCバンドおよびOバンドで可能になっている。また、Cバンドで挿入損失3dB以下の高NA、レンズドファイバとの広帯域光結合用にエッジ結合構造が開発された。さらに、設計者は193nmリソグラフィによる優れたパタニング忠実性を享受できるので、ロバストなアクティブおよびパッシブ導波路デバイスが可能になる。
 50Gb/sコンポーネントは、imecの200㎜シリコンフォトニクス・マルチプロジェクトウエハ(MPW)提供に含まれ、プロセスデザインキット(PDK)によってサポートされている。MPWサービスは、Europractice ICサービスおよびMOSISを通じて提供される。MOSISは、ローコストプロトタイピング、カスタムICs向け少量生産サービスを提供している。imecのアクティブiSiPP50G稼働は、現在登録受付中であり、最初のウエハアウトは2017年1月9日。
(詳細は、www.imec.be)