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Imecなど、金属酸化物EUVフォトレジスト総合ファブプロセスデモ

February, 23, 2016, Leuven--SPIEアドバンストリソグラフィカンファレンスで、imec、InpriaとTELは、非化学増幅された金属を含むフォトレジストとEUVリソグラフィを使って次世代高解像度デバイス向け初のパターン形成プロセスを紹介する。
 imecはナノエレクトロニクス研究センター、Inpriaは高性能EUVフォトレジスト開発会社、TELは半導体/フラットパネルディスプレイ製造装置会社。
 新しい金属酸化物フォトレジストベースのプロセスは、従来の有機EUVフォトレジストをベースにしたプロセスと比較して、大幅なプロセス簡素化とコスト削減を可能にする。チームは、金属酸化物フォトレジストプロセスをラボからファブに移転し、標準ファブ装置での製造適合性を実証する。また、ASMLのEUV NXE3300フルフィールドスキャナおよびimecの統合プロセスラインを使って優れたパターン転写能力を実証する。
 ネガ型金属酸化物EUVレジストは、Inpriaが開発し、TELのエッチングシステム上のimecの7nm BEOLプロセスモジュールに組み込まれている。もっと正確に言えば、ピラー寸法21nmの金属パターニング用のブロックマスクレイヤとして組み込まれている。固有の金属酸化物の特性によりフォトレジストは、次のエッチングステップの薄いスピンオン・ハードマスクとしての役割も果たせた。さらに、フォトレジストのネガ型イメージングの性質上、リソ-エッチパタニングスキームで一層の簡素化も可能。これは、このブロックパターニングレイヤに対する従来のポジ型アプローチで必要となるトーン反転スキームを除去できるからである。