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CST Global、埋込ヘテロ構造レーザダイオード開発スタート

September, 26, 2018, Kista--CST Globalは、同社の商用MOCVDリアクタで、埋込ヘテロ構造(BH)レーザダイオード製造機能の開発を開始した。
 現在、この種の単一周波数デバイスの供給が不足しており、その製造能力が世界的にボトルネックになっている。BHレーザは、PONや量子センシング市場を含む、多くのシリコンフォトニクスアプリケーションに適している。
 BHレーザの活性層は、InPエピタキシャルオーバーグロース層で覆われており、これにはMOCVDが用いられる。これは、光学的、電気的閉じ込めを同時に行う特殊半導体構造を造り、併せて高い熱性能、光ビーム形状、ローノイズ、半導体光増幅も得られる。 
 CST Globalの販売・マーケティング担当VP、Euan Livingston氏は、「BHレーザダイオード開発プロジェクトで、CST Globalは、このタイプのレーザの高需要に対処できる。この種のレーザは、シリコンフォトニクス、クラウドデータセンタアプリケーションに使用されている。標準的レーザに対するBHレーザの優位性は多い。例えば、低閾値電流、高速変調能力などだ。加えて、エピタキシャル層は、均一であり、大型マルチ基板に同時に成長できるので、製造は高歩留まりであり、相対的に迅速かつ簡素である」と説明している。
(詳細は、https://www.cstglobal.uk/)