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Kyma、高品質200-㎜径GaN on QSTテンプレートをデモ

November, 9, 2017, San Dimas--Kyma Technologeis, Incは、新しいK200ハイドライド気相成長(HVPE)装置を使って高品質200-㎜径HVPE GaN on QST(QROMIS基板技術)テンプレートを作製したと発表した。
 今回発表のKyma 200-㎜径HVPE GaN on QSTテンプレートの開発は、2016年にQROMIS, Inc(前Quora Technology, Inc)と提携して実証した150-㎜径GaN on QSTテンプレート、またKymaのK200 HVPE成長装置の発表に続くものである。
 200-㎜径HVPE GaN on QSTテンプレートは、QROMIS提供の5µm MOCVD GaN on QSTウエハに成長させた10µmのHVPE GaNで構成されている。テンプレートのX線回折ロッキングカーブ線幅は、対称(002)と非対称(102)XRDピークそれぞれ、250および330arc/secにあり、これは高い構造品質で一貫している。低いウエハの反り(~50µm)と滑面形状は、これらの材料が高性能デバイス製造をサポートすることを示唆している。
 Kymaの新K200 HVPEツールは業界初であり、多くの異なる基板上に高品質GaNの均一かつ迅速成長ができるようにKymaのエンジニアが設計した。
 社長/CEO、Keith Evansは「高品質GaNプロセスをわれわれのK200 HVPEツールに移転することに成功した。QROMISのQST基板に作製したGaNの構造的品質は卓越している。当社は現在、大直径GaN on QSTテンプレートに関心がある顧客に接触している」と話している。
 KymaとQromisは、Kyma主導US DOE IIB SBIRでの仕事で提携している。
 QROMISは、先頃、ファンドリパートナーVanguard International Semiconductor(VIS)を使って200-㎜ QST基板およびGaN-on-QSTウエハの製造を始めた。VISは、8インチ径QSTプラットフォームで、2018年にGaNパワーデバイス製造サービス提供を計画している。
 QROMIS共同創始者&CEO、Cem Basceriは、「QROMISのCMOSファブ・フレンドリ200-㎜径QST基板およびGaN-on-QSTウエハはディスラプティブ技術である。GaNパワーアプリケーション向けに数マイクロンから数100マイクロンのGaNエピタキシーが可能になる。これは100V~1500V以上のGaNパワーデバイスで、横方向、疑似垂直、垂直形状が8インチまたは12インチ製造プラットフォームが、Siパワーデバイスのコストで可能である。KymaのK200 HVPE技術は、QSTベースGaNパワーデバイス製造への重要な付加価値であり、これはMOCVD成長のみを使用して実用的に達成できるよりも薄く、低欠陥密度のGaN面の低コスト成長を可能にすることによるものである」とコメントしている。
 Kymaは、世界的に認められた半導体装置OEMとも提携し、Kymaの優れたHVPE GaN成長プロセスをインハウスで行いたい顧客向けにK200 HVPEツールを製造する。
(詳細は、www.kymatech.com)