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ナノメートルスケールでGaNを解析する研究技術

November, 14, 2014, Aachen--レーザ技術ILTフランウンホーファー研究所はアーヘン工科大学(RWTH Aachen University)物理学部(IA)と密接に協力してGaNおよびGaN複合物の構造的電気的特性をナノメートルレベルで光学的に研究する分析術を初めて開発した。
 RWTHアーヘン大学実験物理学チェア、フェロー研究者と協力してフランウンホーファーILTの研究者は2年かけて画期的な広帯域チューナブルレーザシステムを開発した。このレーザは半導体解析の特殊要件に適合させられる。波長は検査する材料に調整することができるので、この新システムは幅広い範囲の材料を調べることができる。また、分光解析は、従来よりも遙かに高速である。従来のシステムの能力ではできなかった材料系にもアクセスできるようになった。
 この新しいシステムを使って昨年、アーヘンの研究チームは、ドープしていないGaNウエハの結晶構造の張力を示す光学的な2D画像を初めてとることができた。コンピュータシミュレーションを使用して張力の正確な範囲を定量化した。最近では、この技術は、複合体構造の様々なドープGaN層に適用されている。GaNおよびGaN複合物の構造的、電気的特性をナノメートルスケールで、光学技術が調べたのは初めてのことである。