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Leti、マイクロディスプレイ向けLEDピクセリゼーション&記録的高解像度

February, 10, 2017, Grenoble--CEA Techの研究所、Letiは10μmピッチで高解像度アレイを作製するμLED製造プロセス開発を発表した。新しいプロセスで可能になるピクセリゼーションと873×500解像度は、最先端の技術を凌ぐものである。
 拡張現実(AR)、仮想現実(VR)ツールやウェアラブルデバイスなどマイクロディスプレイアプリケーション向けに設計された、青色またはグリーンGaN/InGaN μLEDアレイはLeti独自の自己整合技術を使用する。同プロセスはそのように小さなピクセルピッチ達成の決め手である。 共通陰極を作るために使用されるいくつかのダマスク模様のメタライゼーションステップでも放熱がよくなり、マイクロ-LEDマトリクス内の電圧降下が防げる。電気-光計測は、デバイス組込みのため要件を上回る記録的なき効率と輝度を示している。
 「Letiの自己整合プロセスにより、ピクセルピッチ10 μmで高解像度μ-LEDマトリクス作製が可能になる」と論文の著者の1人、ルドヴィック・デュプレ氏は話している。「さらに、Letiで開発された新しいプロセスの1つである、カソードのダマスク模様メタライゼーションプロセス採用は、マイクロLEDマトリクスの以前のデモンストレーションと比べるとブレイクスルーである。共通陰極は、マイクロLEDs間の全域を満たし、その間の金属に電流が広がるようにしている、放熱も同様である。こうした結果は、マイクロディスプレイ機器で、CMOSアクティブマトリクスにハイブリッドすることで、マイクロLEDマトリクス組込みに有望であり、最初のプロトタイプは現在テスト中である」とコメントしている。
(詳細は、www.leti.fr)